在肖特基金属沉积之前，有意地将GaN表面暴露于在电感耦合等离子体蚀刻系统中产生的氧等离子体。处理后的二极管的反向漏电流在低偏置范围内被抑制，具有增强的二极管理想因子和串联电阻。
然而，在高偏压范围内，经处理的二极管表现出更高的反向漏电流和相应的更低击穿电压。X射线光电子能谱分析揭示了在
等离子光氧期间GaN表面上的薄GaOx层的生长。在子带隙光照射下，经等离子体处理的二极管与未经处理的二极管相比显示出更大的光伏响应，表明氧等离子体处理引起GaN表面的额外缺陷态。
在ICP蚀刻系统中通过氧等离子体处理GaN表面。然后制造GaN基肖特基势垒二极管。处理后的二极管在低反向偏压范围内表现出降低的漏电流。由于新产生的表面缺陷，二极管具有较大的子带隙光响应。
